再生晶圆工艺

核心原理 / 机理CMP 的定义CMP（Chemical Mechanical Planarization，化学机械平坦化）是半导体制造中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。同时利用化学腐蚀与机械研磨的协同作用去除材料，避免了纯机械抛光造成的表面损伤和纯化学抛光速度慢、平整度差的问题。材料去除机理Preston 方程： MRR = Kp × P × VMRR：材料去除速率（Å/min）Kp：Preston 系数（与材料和化学环境相关）P：施加的下压力（psi 或 kPa）V：晶圆与抛光垫的相对速度三步去除过程：研磨液中的化学反应剂与晶圆表面材料发生化学反应，形成软化层研磨粒子（SiO₂ 或 Ce